


| Parametro | Valore |
|---|---|
| Articolo | Specifications |
| Produzione | NPN open-collector transistor- Maximum sink current: 50 mA- Applied voltage: 26.4 V DC or less (between output and 0 V)- Residual voltage: 2 V or less (at 50 mA sink current), 1 V or less (at 16 mA sink current) |
| Dettagli | Thru-beam type |
| Prodotto | Amplifier Built-in Ultra-compact Laser Sensor |
| Materiale | Enclosure: Polybutylene terephthalate, Front cover: Acylic, Lens: Glass, Indicator part: Polyarylate |
| Accessorio | MS-EXL2-2 (Mounting plate): 2 pcs. |
| Protezione | IP67 (IEC) |
| Numero di parte | EX-L212-J |
| Nome del prodotto | Amplifier Built-in Ultra-compact Laser Sensor EX-L200 |
| Ripetibilità | Perpendicular to sensing axis: 0.05 mm0.0020 inor less |
| Tempo di risposta | 0.5 ms or less |
| Campo di rilevamento | 3 m9.843 ft |
| Numero di prodotto | EX-L212-J |
| Oggetto di rilevamento | Opaque object of ø3 mmø0.118 inor more |
| Tensione di alimentazione | 12 to 24 V DC plus or minus 10 % Ripple P-P 10 % or less |
| Indicatore di alimentazione | - |
| Umidità ambientale | 35 to 85 % RH, Storage: 35 to 85 % RH |
| Elemento emittente | Red semiconductor laser Class 1 (IEC / JIS/ FDA) (Note:This product complies with 21 CFR 1040.10 and 1040.11 Laser Notice No. 50, dated June 24, 2007, issued by CDRH(Center for Devices and Radiological Health) under the FDA (Food and Drug Administration)(Maximum output: 390 μW, Peak emission wavelength: 655 nm0.026 mil) |
| Resistenza agli urti | 500 m/s2acceleration (50 G approx.) in X, Y and Z directions three times each |
| Illuminazione ambientale | Incandescent light: 3,000 lx or less at the light-receiving face |
| Temperatura ambiente | -10 to +55 ℃+14 to +131 ℉(No dew condensation or no icing condition),Storage: -30 to +70 ℃-22 to +158 ℉ |
| Consumo attuale | Emitter: 10 mA or lessReceiver: 10 mA or less |
| Indicatore di funzionamento | Orange LED (lights up when the output is ON) (incorporated on the receiver for thru-beam type) |
| Indicatore di stabilità | Green LED (lights up under stable light received condition or stable dark condition) (incorporated on the receiver for thru-beam type) |
| Regolatore di sensibilità | - |
| Resistenza alle vibrazioni | 10 to 500 Hz frequency, 1.5 mm0.059 indouble amplitude (10 G max.) in X, Y and Z directions for two hours each |
| Resistenza di isolamento | 20 MOhm , or more, with 250 V DC megger between all supply terminals connected together and enclosure |
| Output:Operazione di output | Light-ON / Dark-ON selectable by the output operation switching input |
| Resistenza alla tensione | 1,000 V AC for one min. between all supply terminals connected together and enclosure |
| Dimensioni del punto di emissione (tipico) | Approx. 8 × 5.5 mm0.315 × 0.217 in(vertical × horizontal)(at a sensing distance of 1 m)(Note) In the case sensing distance is 3 m9.843 ft, the emission spot size is H 17 × W 11 mmH 0.669 × W 0.433 in(visual reference value). |
| Conformità alla direttiva sulla marcatura CE | EMC Directive, RoHS Directive |
| Uscita: protezione da cortocircuito | Incorporated (short-circuit protection / inverse polarity protection) |
| Oggetto minimo di rilevamento (tipico) | - |
| Ripetibilità (tipica) (perpendicolare all'asse di rilevamento) | - |
Specifiche tecniche e dati di prestazione
Guida di installazione e utilizzo