


| Parametro | Valore |
|---|---|
| (Sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | |
| - (Sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | - |
| ¢ (Sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | - |
| Articolo (Sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | Through-beam |
| Lente (Sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | plastic |
| E3H2-T4 (Sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | E3H2-T2 |
| Materiale (Sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | Case |
| Tipo di sensore (sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | Sensing distance |
| A sbarramento (sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | 2 m |
| Tempo di risposta (sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | 2.5 ms max |
| 100 mm (fisso) (Sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | - |
| Riflettente diffuso (Sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | 300 mm (teachable) |
| Temperatura ambiente (sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | Operating |
| Circuiti di protezione (sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | Power supply reverse polarity protection, output short circuit protection |
| Grado di protezione (sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | EN 60529: IP67 |
| Tensione di alimentazione (sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | 10 to 30 VDC, 10% ripple |
| Regolazione della sensibilità (sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | Potentiometer adjuster |
| Sorgente luminosa (lunghezza d'onda) (Sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | Infrared LED (880 nm) |
| Retroriflettente con MSR (Sensori fotoelettrici miniaturizzati in alloggiamenti M8 e M12) | 2 m (teachable |
Specifiche tecniche e dati di prestazione
Guida di installazione e utilizzo